圖文詳情
本底真空10-7Torr;
基片臺可定制;
單電子槍多坩堝( 4/6/8 );
坩堝容量可選;
坩堝防污染設(shè)計;
石英晶振測量膜厚;
鉬加熱絲加熱,可達(dá)850C;
雙汞燈加熱,最高可達(dá)700C;
可配備離子束輔助沉積;
可配備快速進(jìn)樣室;
可與手套箱集成。
應(yīng)用領(lǐng)域:
光電材料鍍膜,電極制備
微納加工Lift-off工藝
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